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钙钛矿氧化物薄膜有望以太赫兹频率速率写入数据
发布时间:2018-03-19 09:29:09 阅读:397

来源:phys.org; 电子科技大学太赫兹研究中心 四川太赫兹应用研究联合课题组 张晨 编译

图片来源:美国能源部

    如果电子设备能够以太赫兹频率读写数据,而不是以几千兆赫的速度读写数据,那么电子设备的工作速度会变得更快。室温条件下,一些材料在磁场作用下导电性得以改善,利用材料所具备的这种性质,制造相关电子设备并非难事。科学家们认为钙钛矿氧化物薄膜将具有类似的作用。然而,在太赫兹频段处,一般的材料并不能表现出在低频段所显现的性能。直到最近,英国综合纳米技术中心的科学家们才发现室温条件下在太赫兹脉冲的作用下,材料的导电性有巨大变化。

    研发人员在合成材料的过程中,发现电导率可以通过施加的磁场和温度来控制。该团队的工作突出了控制这些薄膜电导率的新方法。这些材料可能会改变存储设备的设计。

    我们能否设计出新的以太赫兹频率速度来进行数据读写的存储设备?这样我们的个人电子设备就能以更高的速度运行?来自英国综合纳米技术中心和大学的研究团队在高质量的功能性纳米复合材料中发现了在室温下在太赫兹频率出现的巨磁电阻现象。纳米复合材料的太赫兹电导率可以通过外加磁场和温度来控制。例如,在存在外部场(例如2太赫兹)的情况下,太赫兹电导率变化超过两个数量级。

    该研究展示了一种在太赫兹频率下使用光脉冲来探测磁阻的新方法,这可能会改变未来存储器件的设计。与传统的需在强磁场和低温下才能观察到的巨磁现象不同,这种巨磁阻电现象在太赫兹频率下只需在室温和中等大小磁场中便可观察到。该小组利用太赫兹时域磁光谱研究了潜在的物理机制。未来研究人员可以使用这些结果来指导具有更好性能的新型功能薄膜的发展。实验表明,太赫兹频率下的巨磁电阻可用于极小的电子器件和由磁场控制的太赫兹光学元件。该研究表明,这种材料有望应用于未来的太赫兹光学和电子元件,如磁驱动调制器。

 
 

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